Концентрация донорной примеси составляет Nд атом/см3, акцепторной примеси – Nа атом/см3 (таблица 2.1), собственная концентрация носителей в полупроводнике - ni. Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при заданной температуре Т (таблица 2.2).